[实用新型]一种用于半导体保护的熔断体有效
申请号: | 200920212156.0 | 申请日: | 2009-11-10 |
公开(公告)号: | CN201562650U | 公开(公告)日: | 2010-08-25 |
发明(设计)人: | 林海鸥;戎峰;沈一敏;徐鹤;陈妍 | 申请(专利权)人: | 上海电器陶瓷厂有限公司 |
主分类号: | H01H85/08 | 分类号: | H01H85/08;H01H85/12 |
代理公司: | 上海兆丰知识产权代理事务所(有限合伙) 31241 | 代理人: | 黄美英 |
地址: | 200071 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种用于半导体保护的熔断体,包括熔管、一对连接在熔管两端的接触板、若干片设在熔管内腔的熔体、填充在熔管内腔中的灭弧介质及一设在熔管侧面的撞击装置,所述一对接触板的内侧面上分别平行地间隔设有若干道压痕;所述熔体的表面上在其长度方向间隔一致地开设多列孔,每列孔中含有多个尺寸相同并且纵向间隔距离为δ的小孔,每片熔体的两头向同一方向弯折,该弯折面点焊在所述接触板的压痕上,以使若干片熔体等间距地并且与熔管轴线平行地设置在熔管的内腔中。本实用新型的用于半导体保护的熔断器适用于50Hz的工频电流,额定电压至交流1000V,额定电流为2000A至3900A,不必拼接即可单独保护大容量设备。 | ||
搜索关键词: | 一种 用于 半导体 保护 熔断 | ||
【主权项】:
一种用于半导体设备保护的熔断体,包括熔管、一对连接在熔管两端的接触板、若干片设在熔管内腔的熔体、填充在熔管内腔中的灭弧介质及一设在熔管侧面的撞击装置,其特征在于,所述一对接触板的内侧面上分别平行地间隔设有若干道压痕;所述熔体的表面上在其长度方向间隔一致地开设多列孔,每列孔中含有多个尺寸相同并且纵向间隔距离为δ的小孔,每片熔体的两头向同一方向弯折,该弯折面点焊在所述接触板的压痕上,以使若干片熔体等间距地并且与熔管轴线平行地设置在熔管的内腔中。
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