[实用新型]一种漏磁变压器与可控硅组合式充电电路无效
| 申请号： | 200920211142.7 | 申请日： | 2009-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN201533188U | 公开（公告）日： | 2010-07-21 |
| 发明（设计）人： | 陈明根;陈波;陈佩忠;吴锦华;倪德林;苏彬 | 申请（专利权）人： | 上海施能电器设备厂 |
| 主分类号： | H02J7/06 | 分类号： | H02J7/06 |
| 代理公司： | 上海天翔知识产权代理有限公司 31224 | 代理人： | 吕伴 |
| 地址： | 201316 上海市南汇*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型公开的一种漏磁变压器与可控硅组合式充电电路，包括漏磁变压器和可控硅充电电路，所述漏磁变压器的初级三个绕组分别接三相电网的一相，所述漏磁变压器的次级为环形结构，具有三个中间抽头，所述可控硅充电电路由三条可控硅充电支路并联而成，其中每一可控硅充电支路由一个可控硅和一个整流二极管串联构成，在每一可控硅的阳极与阴极之间跨接一由电阻和电容串联形成的保护支路，其特征在于，所述漏磁变压器次级的三个中间抽头分别接三个可控硅的阳极。本实用新型综合了漏磁变压器和可控硅的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 变压器 可控硅 组合式 充电 电路 | ||
【主权项】：
一种漏磁变压器与可控硅组合式充电电路，包括漏磁变压器和可控硅充电电路，所述漏磁变压器的初级三个绕组分别接三相电网的一相，所述漏磁变压器的次级为环形结构，具有三个中间抽头，所述可控硅充电电路由三条可控硅充电支路并联而成，其中每一可控硅充电支路由一个可控硅和一个整流二极管串联构成，在每一可控硅的阳极与阴极之间跨接一由电阻和电容串联形成的保护支路，其特征在于，所述漏磁变压器次级的三个中间抽头分别接三个可控硅的阳极。
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