[实用新型]一种氮化铝衰减片有效
| 申请号： | 200920163296.3 | 申请日： | 2009-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN201478422U | 公开（公告）日： | 2010-05-19 |
| 发明（设计）人： | 刘汛 | 申请（专利权）人： | 深圳市禹龙通电子有限公司 |
| 主分类号： | H01P1/22 | 分类号： | H01P1/22 |
| 代理公司： | 北京英特普罗知识产权代理有限公司 11015 | 代理人： | 孙丽芳 |
| 地址： | 518067 广东省深圳市南*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种氮化铝衰减片，属于微波射频领域内使用的标准元器件，包括陶瓷基体、陶瓷封帽和安装法兰，所述陶瓷基体固定连接在安装法兰上；所述陶瓷基体为氮化铝陶瓷基体；电阻浆料制成的电阻体和导体浆料制成的导体连接于所述陶瓷基体和陶瓷封帽之间；所述电阻体包括孤立的主电阻体，所述主电阻体通过所述导体分别与第一引线和第二引线电连接。本实用新型所述的氮化铝衰减片的分散式结构便于散热，可以制成大功率衰减片。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 衰减 | ||
【主权项】：
一种氮化铝衰减片，包括陶瓷基体、陶瓷封帽和安装法兰，所述陶瓷基体固定连接在安装法兰上；其特征在于：所述陶瓷基体为氮化铝陶瓷基体；电阻浆料形成的电阻体和导体浆料形成的导体连接于所述陶瓷基体和陶瓷封帽之间；所述电阻体包括孤立的主电阻体，所述主电阻体通过所述导体分别与第一引线和第二引线电连接。
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