[实用新型]应用掺氟氧化锡的薄膜太阳能电池无效

专利信息
申请号: 200920142679.2 申请日: 2009-01-12
公开(公告)号: CN201402812Y 公开(公告)日: 2010-02-10
发明(设计)人: 孙嵩泉;陈良范;张庆丰;夏筱红;李长浩 申请(专利权)人: 普乐新能源(蚌埠)有限公司
主分类号: H01L31/042 分类号: H01L31/042;H01L31/0224
代理公司: 安徽合肥华信知识产权代理有限公司 代理人: 余成俊
地址: 233030*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 实用新型涉及一种应用掺氟氧化锡导电玻璃作为前电极的薄膜太阳能(非晶硅、微晶硅、CIGS等)电池,包括镀有掺氟氧化锡透明导电膜的玻璃衬底,玻璃衬底上的薄膜太阳能电池功能层和金属背电极,掺氟氧化锡透明导电膜作为电池的前电极,金属作为薄膜太阳能电池的背电极。本实用新型结构简单,成本较低适合大面积应用,采用掺氟氧化锡(SnO2:F)透明导电膜在强光及弱光条件下性能均很稳定,在实际应用中不会对薄膜电池的稳定性造成影响,优化了电池产品性能。
搜索关键词: 应用 氧化 薄膜 太阳能电池
【主权项】:
1、一种应用掺氟氧化锡的薄膜太阳能电池,包括玻璃衬底和金属背电极,其特征在于:所述的玻璃衬底上镀有掺氟氧化锡透明导电膜,所述掺氟氧化锡透明导电膜上沉积有薄膜太阳能电池功能层,所述的金属背电极通过溅射法制备在薄膜太阳能电池功能层上。
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