[实用新型]应用掺氟氧化锡的薄膜太阳能电池无效
申请号: | 200920142679.2 | 申请日: | 2009-01-12 |
公开(公告)号: | CN201402812Y | 公开(公告)日: | 2010-02-10 |
发明(设计)人: | 孙嵩泉;陈良范;张庆丰;夏筱红;李长浩 | 申请(专利权)人: | 普乐新能源(蚌埠)有限公司 |
主分类号: | H01L31/042 | 分类号: | H01L31/042;H01L31/0224 |
代理公司: | 安徽合肥华信知识产权代理有限公司 | 代理人: | 余成俊 |
地址: | 233030*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本实用新型涉及一种应用掺氟氧化锡导电玻璃作为前电极的薄膜太阳能(非晶硅、微晶硅、CIGS等)电池,包括镀有掺氟氧化锡透明导电膜的玻璃衬底,玻璃衬底上的薄膜太阳能电池功能层和金属背电极,掺氟氧化锡透明导电膜作为电池的前电极,金属作为薄膜太阳能电池的背电极。本实用新型结构简单,成本较低适合大面积应用,采用掺氟氧化锡(SnO2:F)透明导电膜在强光及弱光条件下性能均很稳定,在实际应用中不会对薄膜电池的稳定性造成影响,优化了电池产品性能。 | ||
搜索关键词: | 应用 氧化 薄膜 太阳能电池 | ||
【主权项】:
1、一种应用掺氟氧化锡的薄膜太阳能电池,包括玻璃衬底和金属背电极,其特征在于:所述的玻璃衬底上镀有掺氟氧化锡透明导电膜,所述掺氟氧化锡透明导电膜上沉积有薄膜太阳能电池功能层,所述的金属背电极通过溅射法制备在薄膜太阳能电池功能层上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的