[实用新型]单晶炉内一种控氧生长的装置

摘要

本实用新型属于半导体分离技术领域，特别是涉及一种生产、分离单晶硅时的一种控氧生长的装置。该装置是在单晶炉中对加热器、导流筒、下保温筒进行改革；降低了加热器的叶片高度，使坩埚底部的热源面积减少，石英坩埚底部受热少，在生产过程中产生的氧比较少；在上盖板上再增加一个加密式导流筒，新的导流装置能加速冷却速度，加强了下保温筒的保温效果，可从晶体和熔体界面，带走更多的氧，降低氧含量，减少产生的硼氧复合体，本实用新型能有效的减少生产过程中氧的产生、滞留，它结构简单、造价低廉、安装、使用操作方便、能有效控制氧的生成、输送，减少了氧进入单晶的过程和数量等优点。

主权项

一种单晶炉内的控氧生长的装置，包括石英坩埚、加热器、上盖板、炉盖和下保温筒，其特征是，所述加热器的叶片不超过所述坩埚的底部；一个两头通的石墨圆筒子搁置在上盖板上，位于炉盖和上盖板之间，与炉盖、上盖板活动连接；用作下保温筒保温的保温层碳毡为10 12层。