[实用新型]高发光率的覆晶式发光二极管无效
| 申请号： | 200920073745.5 | 申请日： | 2009-04-07 |
| 公开（公告）号： | CN201466056U | 公开（公告）日： | 2010-05-12 |
| 发明（设计）人： | 温伟值;林艺峰;潘锡明;简奉任 | 申请（专利权）人： | 山东璨圆光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 山东省乳山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种高发光率的覆晶式发光二极管，在P型半导体层上方设置一个透明导电层、一个氧化层、一个金属反射层、一个导电层以及一个扩散保护层，反射一个发光层向P型半导体层发出的光射，使反射的光线可穿透透明基板而向外发出，以解决覆晶式发光二极管光线被遮蔽的问题，并可有效提升其发光效率，此外，本实用新型利用覆晶技术将发光二极管晶片反转设置于一个导热基板上。本实用新型高发光率的覆晶式发光二极管能提升发光二极管的散热率。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 覆晶式 发光二极管 | ||
【主权项】：
一种高发光率的覆晶式发光二极管，包含：一个透明基板；一个半导体层，设于透明基板上方，且包含一个N型半导体层、一个发光层及一个P型半导体层，其中，发光层介于N型半导体层与P型半导体层之间；一个透明导电层，设于P型半导体层上方且电性连接至P型半导体层；一个氧化层，设于透明导电层上方；一个金属反射层，设于氧化层上方；一个导电层，设于氧化层上，以电性连接透明导电层与金属反射层；一个扩散保护层，设于金属反射层上方且电性连接该金属反射层；一个第一电极，设于半导体层的N型半导体层上方且电性连接N型半导体层；一个导热基板，导热基板的表面具有第一及第二金属接合层；其特征是：发光二极管的第一电极与扩散保护层朝向导热基板，并分别与第一和第二金属接合层电性连接。
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