[实用新型]集成有原子层沉积工艺的化学气相沉积设备有效
| 申请号： | 200920072231.8 | 申请日： | 2009-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN201560234U | 公开（公告）日： | 2010-08-25 |
| 发明（设计）人： | 甘志银;王亮;胡少林;陈倩翌;朱海科 | 申请（专利权）人： | 广东昭信半导体装备制造有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/44 | 分类号： | C23C16/44;C23C16/455;C23C16/52 |
| 代理公司： | 广州市越秀区哲力专利商标事务所(普通合伙) 44288 | 代理人： | 汤喜友 |
| 地址： | 528251 广东省佛山市南*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种集成有原子层沉积工艺的化学气相沉积设备，包括：化学气相沉积设备的气体输送系统、反应腔、尾气处理系统、加热系统、控制系统，其特征在于所述载气入口分别与原子层沉积工艺的载气阀(11)、(14)连接，载气阀(11)、(14)的另一端分别与尾气管路、反应腔入口连接，源气体入口分别与载气阀(13)、(12)连接，载气阀(13)、(12)的另一端分别与尾气管路、反应腔入口连接。本实用新型的优点是充分利用了原子层沉积工艺的优点，克服了金属有机物化学气相沉积技术无法精确控制纳米级膜厚及组分等缺点，同时也摆脱原子层沉积工艺中的生长速度低的限制。 | ||
| 搜索关键词： | 集成 原子 沉积 工艺 化学 设备 | ||
【主权项】：
一种集成有原子层沉积工艺的化学气相沉积设备，包括：化学气相沉积设备的气体输送系统、反应腔、尾气处理系统、加热系统、控制系统。其特征在于：载气入口分别与原子层沉积工艺的常开载气阀(11)及常闭载气阀(14)连接，常开载气阀(11)的另一端与尾气管路连接，常闭载气阀(14)的另一端与反应腔入口连接，源气体入口分别与原子层沉积工艺的常开载气阀(13)及常闭载气阀(12)连接，常开载气阀(13)的另一端与反应腔入口连接，常闭载气阀(12)的另一端与尾气管路连接。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
