[实用新型]发电机励磁装置用单电阻达林顿管

摘要

本实用新型属于半导体晶体管技术领域，具体地说是一种发电机励磁装置用单电阻达林顿管。按照本实用新型提供的技术方案，在N⁺衬底扩散层的下面有背面金属化银层，在N⁺衬底扩散层的上面有N^-单晶材料层，并在N^-单晶材料层的上面形成前级晶体管的基区与后级晶体管的基区，在所述前级晶体管的基区与后级晶体管的基区的上面有二氧化硅层；在前级晶体管的基区内形成前级晶体管的发射区，在后级晶体管的基区内形成后级晶体管的发射区；所述金属化银层形成前级晶体管和后级晶体管共接的集电极。本实用新型可应用于发电机关键部位励磁装置的控制模块中。该产品耗散功率大，二次击穿耐量高，耐压高；集电极电流大，饱和压降低，抗烧性强，可靠性好。

主权项

1、发电机励磁装置用单电阻达林顿管，其特征是：在N+衬底扩散层(2)的下面有背面金属化银层(1)，在N+衬底扩散层(2)的上面有N-单晶材料层(3)，并在N-单晶材料层(3)的上面形成前级晶体管(T1)的基区(5)与后级晶体管(T2)的基区(7)，在所述前级晶体管(T1)的基区(5)与后级晶体管(T2)的基区(7)的上面有二氧化硅层(8)；在前级晶体管(T1)的基区(5)内形成前级晶体管(T1)的发射区(12)，在后级晶体管(T2)的基区(7)内形成后级晶体管(T2)的发射区(13)；所述金属化银层(1)形成前级晶体管(T1)和后级晶体管(T2)共接的集电极(C)；刻蚀所述二氧化硅层(8)，在前级晶体管(T1)的基区(5)与后级晶体管(T2)的基区(7)上形成若干刻蚀区；并在其中的第一个刻蚀区覆盖前级晶体管(T1)的基极铝层(9)，所述前级晶体管(T1)的基极铝层(9)形成前级晶体管(T1)的基极(B)；在第二刻蚀区通过磷扩散形成前级晶体管(T1)的发射区，在前级晶体管(T1)的发射区氧化层的电极刻蚀孔上再覆盖前级晶体管(T1)的发射极电极铝层(10)，所述前级晶体管(T1)的发射极连接铝层(10)形成前级晶体管(T1)的发射极；在第三刻蚀区覆盖后级晶体管(T2)的基极连接铝层(10’)，所述后级晶体管(T2)的基极连接铝层(10’)形成后级晶体管(T2)的基极；所述前级晶体管(T1)的发射极连接铝层(10)与后级晶体管(T2)的基极连接铝层(10’)在二氧化硅层(8)的表面上连成一体；在第四刻蚀区通过磷扩散形成后级晶体管(T2)的发射区，在此发射区的氧化层的电极刻蚀孔上再覆盖后级晶体管(T2)的发射极电极铝层(11)，所述后级晶体管(T2)的铝层(11)形成后级晶体管(T2)的发射极(E)；在前级晶体管(T1)与后级晶体管(T2)间设置V型隔离槽(6)；在前级晶体管(T1)的基区(5)内对应于前级晶体管(T1)的发射极连接铝层(10)所在的部位设置前级晶体管(T1)的发射区(12)；在后级晶体管(T2)的基区(7)内对应于后级晶体管(T2)的连接铝层(11)所在的部位设置后级晶体管(T2)的发射区(13)，并在后级晶体管(T2)的基区(7)与发射区(13)之间的部位形成电阻(R)。