[实用新型]一种SiC体单晶的生长装置无效
| 申请号： | 200920033023.7 | 申请日： | 2009-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN201420112Y | 公开（公告）日： | 2010-03-10 |
| 发明（设计）人： | 陈治明;李留臣 | 申请（专利权）人： | 西安理工大学 |
| 主分类号： | C30B23/00 | 分类号： | C30B23/00;C30B29/36 |
| 代理公司： | 西安弘理专利事务所 | 代理人： | 罗 笛 |
| 地址： | 710048*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种SiC体单晶的生长装置，包括工作室，工作室内竖直设置有托杆，托杆的下端自工作室的底部伸出，托杆的上端固接有石墨坩埚，石墨坩埚的内腔加工有凹台，石墨坩埚的上面固接有SiC籽晶座，SiC籽晶座加工有凸台，该凸台端面与石墨坩埚内腔凹台的底面之间设置有接口，石墨坩埚与SiC籽晶座的外侧包裹有保温层，工作室与抽真空装置相连接。本实用新型生长装置结构简单、装料方便，抽真空时产生的SiC粉粒不堆积于SiC籽晶附近，避免了SiC粉粒对SiC体单晶生长的影响，满足了高品质SiC体单晶生长的要求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 sic 体单晶 生长 装置 | ||
【主权项】：
1.一种SiC体单晶的生长装置，其特征在于，包括工作室(6)，工作室(6)内竖直设置有托杆(12)，托杆(12)的下端自工作室(6)的底部伸出，托杆(12)的上端固接有石墨坩埚(1)，石墨坩埚(1)上端面的内腔加工有凹台，石墨坩埚(1)的上面固接有SiC籽晶座(5)，SiC籽晶座(5)的下端面加工有凸台，SiC籽晶座(5)的凸台端面与石墨坩埚(1)内腔凹台的底面之间设置有接口(2)，石墨坩埚(1)与SiC籽晶座(5)的外侧包裹有保温层(11)，工作室(6)与抽真空装置相连接。
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