[发明专利]制作低温多晶硅方法中的镍剥离方法有效
| 申请号： | 200910311078.4 | 申请日： | 2009-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN101740359A | 公开（公告）日： | 2010-06-16 |
| 发明（设计）人： | 徐正勋;李慧元 | 申请（专利权）人： | 四川虹视显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L21/321;H01L21/311;G03F7/42 |
| 代理公司： | 成都虹桥专利事务所 51124 | 代理人： | 蒲敏 |
| 地址： | 611731 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供一种成本低的制作低温多晶硅方法中的镍剥离方法。制作低温多晶硅方法中的镍剥离方法，该方法包括以下步骤：1)在基板上蒸镀非晶硅后制作非晶硅图形；2)根据所需要的镍图形，进行正性光刻胶图案的制作；3)通过氧气灰化工艺去除图形边缘的光刻胶；4)蒸镀镍金属；5)将不要的光刻胶及镍金属剥离。本发明的镍剥离工序采用正性光刻胶，正性光刻胶与负性光刻胶相比，成本低得多，因此本发明的方法成本低；并且由于采用氧气灰化工艺去除残留的光刻胶，有助于镍金属的蒸镀，可以制造出安定性好、效率高的AMOLED用的低温多晶硅。 | ||
| 搜索关键词： | 制作 低温 多晶 方法 中的 剥离 | ||
【主权项】：
制作低温多晶硅方法中的镍剥离方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：1)在基板(1)上蒸镀非晶硅后制作非晶硅图形(2)；2)根据所需要的镍图形，进行正性光刻胶图案(5)的制作；3)通过氧气灰化工艺去除图形边缘的光刻胶；4)蒸镀镍金属(4)；5)将不要的光刻胶及镍金属剥离。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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