[发明专利]基于平面工艺的左手非线性传输线倍频器及其制作方法

摘要

本发明涉及一种基于平面工艺的左手非线性传输线倍频器及其制作方法，属于微波电路技术领域。所述制作方法包括以下步骤：在半绝缘衬底上制得肖特基变容二极管，包括重掺杂N型层、N型层、下电极和上电极，N型层在重掺杂N型层上形成台面结构，重掺杂N型层在半绝缘衬底上形成台面结构；在半绝缘衬底上形成电容的下电极和电感的埋层引线；淀积形成介质层；通过刻蚀上电极、下电极、电容的下电极和电感的埋层引线处的介质层，形成窗口；形成电容的下电极、螺旋电感以及连接线。本发明基于平面工艺的左手非线性传输线倍频器的制作方法，采用平面工艺，易于实施，操作简单；易于单片集成，且集成度高；电路稳定性好，可靠性高。

主权项

一种基于平面工艺的左手非线性传输线倍频器的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括以下步骤：步骤10：在半绝缘衬底(101)上制得肖特基变容二极管(113)，所述肖特基变容二极管(113)包括设置于所述半绝缘衬底(101)上的重掺杂N型层(102)，设置于所述重掺杂N型层(102)上的N型层(103)和下电极(105)，设置于所述N型层(103)上的上电极(104)，所述N型层(103)在所述重掺杂N型层(102)上形成台面结构，所述重掺杂N型层(102)在所述半绝缘衬底(101)上形成台面结构；步骤20：在所述半绝缘衬底(101)上通过蒸发金属形成电容的下电极(106)和电感的埋层引线(107)；步骤30：在形成电容的下电极(106)和电感的埋层引线(107)后的半绝缘衬底(101)上淀积形成介质层(108)；步骤40：通过刻蚀所述肖特基变容二极管上电极(104)、肖特基变容二极管下电极(105)、电容的下电极和电感的埋层引线处的介质层(108)，形成窗口(109)；步骤50：通过电镀金属形成电容的上电极(110)、螺旋电感(111)以及连接线(112)。