[发明专利]采用析释提纯技术的太阳能级高纯硅的制备方法无效
| 申请号： | 200910306736.0 | 申请日： | 2009-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN101712474A | 公开（公告）日： | 2010-05-26 |
| 发明（设计）人： | 郑智雄;张伟娜;林霞;戴文伟;胡满根;马殿军;赵志跃;南毅;王文静 | 申请（专利权）人： | 南安市三晶阳光电力有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/037 | 分类号： | C01B33/037 |
| 代理公司： | 厦门市首创君合专利事务所有限公司 35204 | 代理人： | 张松亭 |
| 地址： | 362000 福建*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了采用析释提纯技术的太阳能级高纯硅的制备方法，该方法采用中频感应炉，按一定质量比加入硅和铝，高温熔炼搅拌均匀，得到硅铝混合熔液，熔融状态的铝对硅中杂质具有较强吸附作用，通入氧气，使铝及杂质氧化成渣，分离后定向凝固，达到提纯硅的目的，多次氧化造渣和定向凝固后提纯效果更加明显。 | ||
| 搜索关键词： | 采用 提纯 技术 太阳 能级 高纯 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种制备太阳能级高纯硅的方法，其步骤为：a、采用中频感应炉，按质量比Si∶Al＝5∶1～20∶1加入硅和铝，加热至1600～2000℃将硅铝混合物完全熔解并搅拌均匀，保温3～30h，得到硅铝混合熔液；b、将步骤a所得的铝硅混合熔液倒入精炼炉，通入氧气，使铝氧化成渣，漂浮在硅溶液表面；c、将固态氧化铝渣从硅溶液表面分离；d、将去除氧化铝渣的硅液倒入一定向凝固装置中进行定向凝固分凝；e、定向凝固冷却后将硅锭取出后去皮和去除顶部杂质富集部分，成为半成品硅锭；f、半成品硅锭再投入中频感应炉进行二次熔解，之后重复b～e中的吹氧造渣，去渣，定向凝固，去皮及去除顶部杂质富集部分步骤，得到成品硅锭。
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