[发明专利]CVD金刚石薄膜探测器制作工艺

摘要

本发明涉及一种CVD金刚石薄膜探测器制作工艺，包括以下步骤：1.配件制备及清洗：加工金属壳体、螺丝、聚四氟乙烯配件，取CVD金刚石薄膜，分别清洗，干燥备用；2.预镀金层：对CVD金刚石薄膜两面与金属壳体接触的部位分别蒸镀金层；3.探测器封装：将金刚石薄膜、聚四氟乙烯配件、金属壳体组装成探测器，在CVD金刚石薄膜与金属壳体、聚四氟乙烯配件的空隙填充绝缘胶，用螺丝固定；4.探测器两面整体镀金：将封装好的探测器两面整体蒸镀金层并干燥。本发明解决了现有的制作工艺导致的探测器电极接触不牢固、性能不稳定、漏电流性能差的技术问题。本发明具有可保证金刚石薄膜与金属电极之间良好接触、能获得低漏电流等的优点。

主权项

1.一种CVD金刚石薄膜探测器制作工艺，其特征在于：包括以下步骤：1]配件制备及清洗加工金属壳体、螺丝、聚四氟乙烯配件，取CVD金刚石薄膜，分别清洗，干燥备用；2]预镀金层：对CVD金刚石薄膜两面与金属壳体接触的部位分别蒸镀金层；3]探测器封装：将CVD金刚石薄膜、聚四氟乙烯配件、金属壳体组装成探测器，在CVD金刚石薄膜与金属壳体、聚四氟乙烯配件的空隙填充绝缘胶，用螺丝固定；4]探测器两面整体镀金：将封装好的CVD金刚石薄膜探测器两面整体蒸镀金层并干燥。