[发明专利]用于MOS器件的金属栅极结构及其制作方法

摘要

本发明公开了一种用于MOS器件的金属栅极结构及其制作方法，属于微电子技术中的MOS器件技术领域。所述方法包括：在衬底上形成界面层；在界面层上形成高介电常数栅介质层；在高介电常数栅介质层上形成金属栅极材料层；对于界面层、高介电常数栅介质层和金属栅极材料层进行金属化后退火处理，以形成金属栅极结构。本发明通过对金属栅极结构进行金属化后退火处理，能够形成高质量、低缺陷金属栅极结构，并避免在退火过程中氧扩散到SiO₂/Si界面与衬底硅反应形成SiO₂，从而使整个金属栅极结构的等效氧化层厚度保持较小，以满足MOS器件的性能要求。

主权项

1.一种用于金属氧化物半导体器件的金属栅极结构的制作方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：步骤A：在衬底上形成界面层；步骤B：在所述界面层上形成高介电常数栅介质层；步骤C：在所述高介电常数栅介质层上形成金属栅极材料层；步骤D：对所述界面层、高介电常数栅介质层和金属栅极材料层进行金属化后退火处理，形成金属栅极结构。