[发明专利]垂直结构发光二极管芯片结构及其制造方法有效
| 申请号： | 200910272579.6 | 申请日： | 2009-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN101847675A | 公开（公告）日： | 2010-09-29 |
| 发明（设计）人： | 周武;郑如定;刘榕;张建宝 | 申请（专利权）人： | 武汉华灿光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L21/78 |
| 代理公司： | 武汉帅丞知识产权代理有限公司 42220 | 代理人： | 朱必武 |
| 地址： | 430223 湖北省*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及了一种垂直结构发光二极管芯片结构及其制造方法，本发明垂直结构发光二极管芯片是通过在P-GAN的欧姆接触层上邦定金属支撑层，机械研磨晶圆背面蓝宝石衬底，在蓝宝石上激光划槽并通过磷酸+硫酸溶液腐蚀划道，露出N-GAN层，淀积N电极金属，最后切割晶圆得到LED芯片，这样通过邦定金属支撑层-机械研磨-激光划槽-混酸腐蚀的综合方法制造的芯片为垂直结构，其具有热阻低、光取出效率高，制造过程利用现有生产设备、生产可操控性强，降低了生产成本，提高了产品良率。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 结构 发光二极管 芯片 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
垂直结构发光二极管芯片制造方法，其特征在于：包括下列工艺步骤：a.在P-GaN层上蒸镀金属，获得P电极欧姆接触层以及反光层；b.在上述金属表面邦定金属支撑层；c.将晶圆背面蓝宝石衬底机械研磨；d.在蓝宝石上激光划槽，根据所做芯片大小，调整划槽间距，根据蓝宝石的厚度控制划槽深度和宽度；e.用硫酸+磷酸溶液，腐蚀切割道，控制时间，腐蚀到N-GaN层；f.在晶圆背面蓝宝石上制作N电极，使一部分N电极直接与N-GaN层接触，这部分电极覆盖划槽底部，另一部分电极包括N电极压焊点N-PAD与蓝宝石衬底附着；g.切割成所需大小的芯片。
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