[发明专利]制造第Ⅲ族氮化物半导体的方法和模板衬底有效
| 申请号： | 200910265539.9 | 申请日： | 2009-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN101800170A | 公开（公告）日： | 2010-08-11 |
| 发明（设计）人： | 中田尚幸;奥野浩司;牛田泰久 | 申请（专利权）人： | 丰田合成株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;H01L33/12;C30B25/18 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 顾晋伟;王春伟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供制造第III族氮化物半导体的方法，包括：通过蚀刻在生长衬底的表面中形成凹槽；通过溅射在生长衬底的形成凹槽的表面上形成缓冲膜；在包含氢和氨的气氛中将衬底加热至目标第III族氮化物半导体生长温度；和在生长温度下在凹槽侧表面上外延生长第III族氮化物半导体。调节缓冲膜厚度或者生长温度，使第III族氮化物半导体主要在凹槽侧表面上沿与生长衬底主表面平行的方向生长。缓冲膜的厚度调节为小于用于在平面生长衬底上沿垂直于生长衬底的方向均匀外延生长第III族氮化物半导体的缓冲膜的厚度。生长温度调节为低于第III族氮化物半导体在平面生长衬底上沿垂直于生长衬底的方向均匀外延生长的温度，优选为1020～1100℃。所用缓冲膜为或者更薄的AlN膜。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 氮化物 半导体 方法 模板 衬底 | ||
【主权项】：
一种制造第III族氮化物半导体产品的方法，包括以下步骤：通过蚀刻在生长衬底的表面中形成凹槽；在包含氢和氨的气氛中将具有所述形成的凹槽的所述生长衬底加热至生长目标第III族氮化物半导体的温度；和在所述生长温度下在所述凹槽的侧表面上外延生长所述第III族氮化物半导体，其中调节所述生长温度以使所述第III族氮化物半导体主要在所述凹槽的侧表面上沿与所述生长衬底的主表面平行的方向生长。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
