[发明专利]一种既能耐受高浓度As(Ⅲ)又能氧化As(Ⅲ)的基因工程菌及其应用有效

专利信息
申请号: 200910265238.6 申请日: 2009-12-18
公开(公告)号: CN102146353A 公开(公告)日: 2011-08-10
发明(设计)人: 徐炎华;杨春艳;颜立敏;许琳;杨洁 申请(专利权)人: 南京工业大学
主分类号: C12N1/21 分类号: C12N1/21;C02F3/34;C12R1/40;C02F101/20
代理公司: 南京天华专利代理有限责任公司 32218 代理人: 徐冬涛;刘成群
地址: 210009 *** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明属于基因工程及环境保护领域,公开了一种既能耐受高浓度As(III)又能氧化As(III)的基因工程菌及其应用。该基因工程菌分类命名为恶臭假单胞菌(Pseudomonasputida)AS-02,保藏于中国典型培养物保藏中心,保藏编号为:CCTCC NO:M209215。该基因工程菌对As(III)的耐受性达到800mg/L,氧化能力达91.7%,遗传稳定性较好,可用于处理高浓度含砷废水,对降低废水毒性,改善后续处理效果,具有非常重要的环保价值。
搜索关键词: 一种 耐受 浓度 as 氧化 基因工程 及其 应用
【主权项】:
一种恶臭假单胞菌基因工程菌,其分类命名为恶臭假单胞菌(Pseudomonasputida)AS‑02,已保藏于中国典型培养物保藏中心,保藏编号为:CCTCC NO:M209215。
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