[发明专利]一种光子晶体结构GaN基LED的制作方法

摘要

本发明公开了一种光子晶体结构GaN基LED的制作方法，包括以下步骤：(1)在衬底上依次外延生长N-GaN层、多量子阱有源区和P-GaN层；(2)在P-GaN外延层上生长沉积ITO薄膜层；(3)将ITO靶材溶于盐酸溶液并稀释至合适浓度作为ITO的前驱体；(4)在生长沉积了ITO薄膜的外延片上铺一层单层的PS球，然后在PS球单层膜和ITO层之间的空隙填充ITO的前驱体溶液；(5)将带ITO前驱体溶液的外延片120℃干燥1小时，在500℃煅烧30分钟，自然降至室温；(6)经光刻、腐蚀ITO和ICP干法刻蚀，使N-GaN层暴露；(7)制作出P电极和N电极；(8)将衬底减薄，解理后形成单个芯片。本发明制备的LED出光率能提高50％左右，具有成本低、工艺简单的特点，适合规模化生产。

主权项

一种光子晶体结构GaN基LED的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)利用金属有机化学气相沉积的方法在衬底上依次外延生长N-GaN层、多量子阱有源区和P-GaN层，形成GaN基LED的材料外延结构；(2)在步骤(1)生长的P-GaN外延层上生长沉积ITO薄膜层，作为P型透明导电层；(3)将ITO的靶材溶于盐酸溶液作为ITO的前驱体，然后用水稀释至合适的浓度，其中ITO前驱体溶液的质量百分浓度为1％--10％；(4)在生长沉积了ITO薄膜的外延片上铺一层单层的PS球，然后在PS球单层膜和ITO层之间的空隙填充稀释后的ITO的前驱体溶液；(5)将带ITO前驱体溶液的外延片置于烘箱中，120℃干燥1小时，然后转移到马弗炉中，升温至500℃，煅烧30分钟，自然降至室温；(6)经光刻、腐蚀ITO和ICP干法刻蚀，使N-GaN层暴露；(7)分别在ITO光子晶体层和暴露的N-GaN上制作出P电极和N电极，再进行合金化；(8)将衬底减薄，解理后形成单个芯片，完成器件的制作。