[发明专利]异物除去装置和异物除去方法有效
申请号: | 200910254050.1 | 申请日: | 2009-12-15 |
公开(公告)号: | CN101752222A | 公开(公告)日: | 2010-06-23 |
发明(设计)人: | 近藤昌树;新藤健弘 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供异物除去装置和异物除去方法。异物除去方法,能使向被处理基板的热量输入适当而消除不必要的加热、消除多余的处理从而缩短处理时间。该异物除去方法包括:测定用激光照射步骤,对被处理基板照射外径尺寸测定用的激光;输出检测步骤,使在测定用的激光中除被基板的端部遮挡的激光外余下的激光受光并检测激光的输出;旋转角检测步骤,检测旋转的基板的旋转角;计算步骤,基于由输出检测步骤检测出的数据和由旋转角检测步骤检测出的数据计算基板的外径尺寸;分解步骤,基于算出的外径尺寸,从基板外周端对规定范围基板表面,照射照射截面为矩形的异物清洗用激光,喷射与异物反应的处理气体,分解、除去附着于规定范围的基板表面的异物。 | ||
搜索关键词: | 异物 除去 装置 方法 | ||
【主权项】:
一种异物除去装置,其特征在于,包括:载置基板并旋转的载置台;和对载置于该载置台并旋转的所述基板照射异物清洗用激光、将附着于所述基板表面的异物除去的激光照射部,所述激光照射部对所述基板表面照射照射截面为矩形的激光。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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