[发明专利]半导体集成电路器件及显示装置无效
| 申请号： | 200910253079.8 | 申请日： | 2009-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN101752337A | 公开（公告）日： | 2010-06-23 |
| 发明（设计）人： | 李泰政;房基仁;朴明圭;严炅恩 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/482 | 分类号： | H01L23/482;H01L23/60;H01L23/528;G02F1/13 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 张波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供了半导体集成电路器件及显示装置。一种半导体集成电路器件包括：形成在衬底中的静电放电(ESD)掺杂区；形成在衬底上的凸块；以及第一布线层和第二布线层，形成在凸块之下相同的水平面上。第一布线层和第二布线层彼此分隔开，每个第一布线层和第二布线层的至少一部分与凸块重叠。第一布线层电连接到ESD掺杂区和凸块，第二布线层与凸块绝缘。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 集成电路 器件 显示装置 | ||
【主权项】：
一种半导体集成电路器件，包括：形成在衬底中的静电放电掺杂区；形成在所述衬底上的凸块；以及至少第一布线层和第二布线层，形成在所述凸块之下相同水平面上，所述第一布线层和所述第二布线层彼此分隔开，并且每个所述第一布线层和所述第二布线层的至少一部分与所述凸块重叠；其中所述第一布线层电连接到所述静电放电掺杂区和所述凸块，以及所述第二布线层与所述凸块绝缘。
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