[发明专利]一种在钛合金表面磁控溅射TiMo薄膜的制备方法有效

专利信息
申请号: 200910248900.7 申请日: 2009-12-30
公开(公告)号: CN102115872A 公开(公告)日: 2011-07-06
发明(设计)人: 高淑春;胡金玲;彭建人 申请(专利权)人: 沈阳天贺新材料开发有限公司
主分类号: C23C14/35 分类号: C23C14/35;C23C14/16;C23C14/02;C23C14/54
代理公司: 沈阳亚泰专利商标代理有限公司 21107 代理人: 韩辉
地址: 110168 辽*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要: 发明公开了一种在钛合金表面磁控溅射TiMo薄膜的制备方法,其特点是所述制备方法有溅射前处理、安装基片和溅射成膜等步骤。与现有技术相比,本发明通过磁控溅射工艺实现了在钛合金表面制备Ti-Mo薄膜的目的,通过工艺条件控制可获得厚度1-50μm的薄膜,并且薄膜致密性好,与基体结合力良好,厚度可控,可以在大面积基片上获得厚度均匀的薄膜。本发明制备的涂层在600℃高温时仍然具有很好的抗盐雾腐蚀能力,并且所用的制备方法可以保证批量生产条件下,制备出高质量产品。
搜索关键词: 一种 钛合金 表面 磁控溅射 timo 薄膜 制备 方法
【主权项】:
一种在钛合金表面磁控溅射TiMo薄膜的制备方法,其特征在于有下列步骤::步骤1:溅射前处理待镀工件经砂纸打磨、抛光,用丙酮超声波清洗10分钟,再用超声波去离子水清洗5分钟,最后用无水乙醇清洗烘干,备用;步骤2:装炉将清洗好的工件安装在H‑MFD200型高真空多功能薄膜沉积系统真空室内试样台上,确保固定,以防脱落;步骤3:溅射TiMo层1)将金属Ti靶、Mo靶置于直流阴极上;2)关闭真空室,抽真空至1.5×102Pa;3)真空度达到1.5×102Pa之后,通入Ar气;调节质量流量计的流量,使气压调节到2~5Pa范围内;4)离子轰击:打开负偏压电源,将负偏压调至500~1000V范围,对工件进行离子轰击辉光清洗,同时启动加热器对待镀工件进行加热;5)离子清洗完毕后,在150~200℃、0.2~0.4KV电压、0.1~0.75A电流下进行反应磁控溅射,控制溅射时间4~8分钟;6)溅射完毕即得到TiMo薄膜。
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