[发明专利]集成电路中的片上天线结构及其制造方法无效
| 申请号： | 200910247748.0 | 申请日： | 2009-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN101777698A | 公开（公告）日： | 2010-07-14 |
| 发明（设计）人： | 储佳 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01Q7/06 | 分类号： | H01Q7/06;H01Q1/22;H01Q1/38;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201210上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明揭露了一种集成电路中的片上天线及其制造方法，该片上天线包括：半导体衬底；第一金属线层，设置于所述半导体衬底上；介质层，设置于所述第一金属线层上；第二金属线层，设置于所述介质层上；层间连接，设置于所述介质层中，以连接所述第一金属线层与所述第二金属线层。本发明因采用了多层金属互联层组合结构，不仅增加片上天线的辐射功率，而且缩减片上天线的尺寸，增加片上天线的阻抗带宽，显著提高片上天线在无线互联应用的传输增益，并且不另占用任何额外的芯片面积。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 中的 天线 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种集成电路中的片上天线，其特征在于，包括：半导体衬底；第一金属线层，设置于所述半导体衬底上；介质层，设置于所述第一金属线层上；第二金属线层，设置于所述介质层上；层间连接，设置于所述介质层中，以连接所述第一金属线层与所述第二金属线层。
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