[发明专利]形成碳纳米管的方法有效
| 申请号： | 200910246780.7 | 申请日： | 2009-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN101746717A | 公开（公告）日： | 2010-06-23 |
| 发明（设计）人： | 王晓峰;尹洪植;吕寅硕 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | B82B3/00 | 分类号： | B82B3/00;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 张波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供形成碳纳米管的方法，包括：在导电区域的侧壁上形成催化剂金属层，如金属图案或金属氮化物图案。多个碳纳米管从催化剂金属层生长。这些碳纳米管可以从催化剂金属层的侧壁生长。然后，多个碳纳米管暴露到有机溶剂。将碳纳米管暴露到有机溶剂的步骤可以由给多个碳纳米管施加离心力的步骤执行。作为选择，该暴露步骤可以包括给多个碳纳米管施加离心力，而同时将多个碳纳米管暴露到有机溶剂。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 纳米 方法 | ||
【主权项】：
一种形成碳纳米管的方法，包括：在导电区域的侧壁上形成催化剂金属层；从该催化剂金属层生长多个碳纳米管；以及将该多个碳纳米管暴露到有机溶剂。
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