[发明专利]功率金氧半导体场效晶体管的制造方法

摘要

本发明提供一种功率金氧半导体场效晶体管的制造方法。在具有第一导电型的基底上形成具有第一导电型的磊晶层。在磊晶层中形成具有第二导电型的主体层。在基底上形成多数个罩幕图案。在罩幕图案之间的主体层及磊晶层中形成多数个沟渠。在沟渠的表面形成氧化物层。在沟渠中形成导体层。对罩幕图案进行削减制程，以缩小各罩幕图案的线宽。以经削减的罩幕图案为罩幕，在各沟渠的两侧的主体层中形成具有第一导电型的二源极区。在导体层上及经削减的罩幕图案之间形成多数个介电图案。移除经削减的罩幕图案。

主权项

一种功率金氧半导体场效晶体管的制造方法，包括：在具有一第一导电型的一基底上形成具有所述第一导电型的一磊晶层；在所述磊晶层中形成具有一第二导电型的一主体层；在所述基底上形成多数个罩幕图案；在所述罩幕图案之间的所述主体层及部分所述磊晶层中形成多数个沟渠；在所述沟渠的表面形成一第一氧化物层；在所述沟渠中形成一第一导体层；对所述罩幕图案进行一削减制程，以缩小各所述罩幕图案的线宽；以经削减的所述罩幕图案为罩幕，在各所述沟渠的两侧的所述主体层中形成具有所述第一导电型的二源极区；在所述第一导体层上及经削减的所述罩幕图案之间形成多数个介电图案；以及移除经削减的所述罩幕图案。