[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 200910246370.2 | 申请日： | 2009-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN101752425A | 公开（公告）日： | 2010-06-23 |
| 发明（设计）人： | 秋元健吾;佐佐木俊成;桑原秀明 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/24;H01L21/34;H01L27/02;H01L21/82 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置及其制造方法，其中，在将氧化物半导体用作激活层的薄膜晶体管中，防止用作激活层的氧化物半导体区的组成、膜质或界面等的变化，且使薄膜晶体管的电特性稳定。在将第一氧化物半导体区用作激活层的薄膜晶体管中，在第一氧化物半导体区和薄膜晶体管的保护绝缘层之间形成其电导率低于第一氧化物半导体的电导率的第二氧化物半导体区，该第二氧化物半导体区用作第一氧化物半导体区的保护层，而可以防止第一氧化物半导体区的组成的变化和膜质的劣化，且使薄膜晶体管的电特性稳定。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包括：衬底上的栅电极；在所述栅电极上的栅极绝缘层；所述栅极绝缘层上的源电极及漏电极；所述源电极及所述漏电极上的第一氧化物半导体区；以及所述第一氧化物半导体区上的第二氧化物半导体区，其中所述第一氧化物半导体区的一部分接触于所述栅极绝缘层且接触于所述源电极及所述漏电极的侧面部，所述第二氧化物半导体区的电导率低于所述第一氧化物半导体区的电导率，并且所述第一氧化物半导体区和所述源电极及所述漏电极电连接。
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