[发明专利]非挥发性记忆胞的操作方法及运用该方法的记忆体装置有效
| 申请号： | 200910246261.0 | 申请日： | 2009-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN101814322A | 公开（公告）日： | 2010-08-25 |
| 发明（设计）人： | 吴昭谊 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10;G11C16/14;H01L27/115 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人： | 寿宁;张华辉 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明是有关于一种非挥发性记忆胞的操作方法及运用该方法的记忆体装置。该非挥发性记忆胞的操作方法，包括通过一第一类型载子的双边偏压注入(Double-Side Biased，DSB)来预先擦除一挥发性记忆胞，以及通过一第二类型载子的福勒-诺德汉(Fowler-Nordheim，FN)隧穿来程序化该记忆胞。藉由本发明，程序化效率会因电荷储存层中的相反电性的电荷而有所提升，从而程序化所需时间能够缩减；此外，由于程序化时间较短会产生较少热能，本发明的操作方法特别适合用于在公知技术中遭遇散热问题的三维记忆体阵列。 | ||
| 搜索关键词： | 挥发性 记忆 操作方法 运用 方法 记忆体 装置 | ||
【主权项】：
一种非挥发性记忆胞的操作方法，其特征在于包括：通过一第一类型载子的双边偏压注入来预先擦除一记忆胞；以及通过一第二类型载子的福勒-诺德汉隧穿来程序化该记忆胞。
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