[发明专利]鳍式晶体管结构及其制作方法有效
| 申请号： | 200910244515.5 | 申请日： | 2009-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN102117829A | 公开（公告）日： | 2011-07-06 |
| 发明（设计）人： | 骆志炯;朱慧珑;尹海洲 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 倪斌 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种鳍式晶体管结构及其制作方法。该鳍式晶体管结构包括在半导体衬底上形成的鳍，其中，该鳍中用作所述晶体管结构的沟道区的部位通过绝缘体材料与衬底接触，而该鳍的其余部位通过体半导体材料与衬底接触。根据本发明的鳍式晶体管结构，既能保持低成本、高热传送率的优点，又能减小漏电流。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种鳍式晶体管结构，包括在半导体衬底上形成的鳍，其中，该鳍中用作所述晶体管结构的沟道区的部位通过绝缘体材料与衬底接触，而该鳍的其余部位通过体半导体材料与衬底接触。
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