[发明专利]一种Si3N4-SiC-C耐火原料粉体的制备方法无效

专利信息
申请号: 200910243006.0 申请日: 2009-12-23
公开(公告)号: CN101734936A 公开(公告)日: 2010-06-16
发明(设计)人: 黄朝晖;陈凯;房明浩;刘艳改;徐友果 申请(专利权)人: 中国地质大学(北京)
主分类号: C04B35/66 分类号: C04B35/66;C04B35/565;C04B35/584
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 100083*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明涉及一种Si3N4-SiC-C耐火原料粉体的制备方法,属于耐火材料制备技术领域。其特征是在适当的高温环境和氮气气氛下以焦炭粉、石墨或炭黑碳热还原氮化天然石英制备Si3N4-SiC-C耐高温材料,并经破碎、粉碎、磨细等工艺制成可用于铝电解槽侧墙砖等耐火制品的Si3N4-SiC-C粉体原料。本发明所制备的Si3N4-SiC-C耐火粉体原料的主要组成成分有α-Si3N4、β-Si3N4、α-SiC、β-SiC和少量的C、Si2N2O等。本发明所涉及的这种制备Si3N4-SiC-C耐火原料粉体的新方法具有设备简单、成本低、制备过程消耗能量少以及便于大规模生产等突出优势,同时也为天然石英的高效增值利用提供一条新的技术途径。
搜索关键词: 一种 si sub sic 耐火 原料 制备 方法
【主权项】:
本发明涉及一种Si3N4-SiC-C耐火原料制备的新方法,其特征为碳热还原氮化天然石英细粉制备Si3N4-SiC-C耐火原料粉体。本发明所制备的Si3N4-SiC-C耐火粉体原料的主要组成成分有α-Si3N4、β-Si3N4、α-SiC、β-SiC和少量的C、Si2N2O等,各物相所占总比例α-Si3N4+β-Si3N4+α-SiC+β-SiC+C大于90%。这种Si3N4-SiC-C耐火原料粉体主要用于制备电解铝工业的铝电解槽侧墙耐火材料和其它含Si3N4-SiC-C质耐火材料。
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