[发明专利]一种新型稀土Ln-Sialon单晶体及其制备方法无效
| 申请号： | 200910242983.9 | 申请日： | 2009-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN101748488A | 公开（公告）日： | 2010-06-23 |
| 发明（设计）人： | 黄赛芳;黄朝晖;房明浩;刘艳改 | 申请（专利权）人： | 中国地质大学（北京） |
| 主分类号： | C30B29/22 | 分类号： | C30B29/22;C30B29/60;C04B35/599 |
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| 地址： | 100083*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种新型稀土Ln-Sialon单晶体及其制备方法，属于单晶材料和发光材料技术领域。本发明以镧系稀土元素的单质Ln、化合物Ln2O3、LnN和LnX3(其中X选自F、Cl、Br和I，Ln为选自La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu)，Si、Si3N4和SiO2，以及Al、AlN和Al2O3等为原料，也可以选择添加过渡金属(Fe/Co/Ni/Cu/Ag/Au)及含过渡金属的化合物为催化剂，在非氧化性气氛、气氛压力1Pa～50MPa、温度1400℃～2500℃、反应时间0.1小时～100小时的条件下，制备得到Ln-Sialon单晶体，其化学式为LnSi6-zAl1+zOzN10-z。所述Ln、LnX3、Ln2O3和LnN占总配料的质量比为0.1％～99％，Si、Si3N4和SiO2占总配料的质量比为0.1％～99％，Al、AlN和Al2O3占总配料的质量比为0.1％～99％。制备的Ln-Sialon单晶具有优良的力学性能和荧光性能，可用于白光LED、探测器阵列、光学组件和微电机系统(MEMS)等。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 新型 稀土 ln sialon 单晶体 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种新型稀土Ln-Sialon单晶体的制备方法，其特征在于：以镧系稀土元素的单质Ln或者化合物Ln2O3、LnN和LnX3(其中X选自卤素F、Cl、Br和I，Ln为选自稀土元素La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu)，Si、Si3N4和SiO2，以及Al、AlN和Al2O3为原料，也可以选择添加过渡金属(Fe/Co/Ni/Cu/Ag/Au)及含过渡金属的化合物为催化剂，在非氧化性气氛下，温度1400℃～2500℃，反应时间0.1小时～100小时，制备获得Ln-Sialon单晶体，其化学式为LnSi6-zAl1+zOzN10-z。
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