[发明专利]一种光波导放大器的制备方法无效

专利信息
申请号: 200910237301.5 申请日: 2009-11-12
公开(公告)号: CN101710223A 公开(公告)日: 2010-05-19
发明(设计)人: 王兴军;周治平;王磊;郭瑞民 申请(专利权)人: 北京大学
主分类号: G02F1/39 分类号: G02F1/39
代理公司: 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 代理人: 胡小永
地址: 100871*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种光波导放大器的制备方法,所述光波导放大器由铒钇硅酸盐无机化合物制成,所述制备方法包括以下步骤:A.铒钇硅氧溶胶的制备;B.在SiO2/Si基片上制备铒钇硅酸盐无机化合物薄膜;C.刻蚀铒钇硅酸盐无机化合物光波导及其性能的检测。使用本发明方法所制备的光波导放大器与已有的光波导放大器相比,铒离子浓度提高1-2个数量级,尺寸减少1-2个数量级,增益提高1-2个数量级,满足硅基光电子集成器件毫米尺寸10dB以上增益的要求,对于发展下一代光通信集成系统具有重要意义。
搜索关键词: 一种 波导 放大器 制备 方法
【主权项】:
一种光波导放大器的制备方法,所述光波导放大器由铒钇硅酸盐无机化合物制成,其特征在于,所述制备方法包括以下步骤:A.铒钇硅氧溶胶的制备:稀土铒和钇盐在醇溶剂的环境下60-70℃搅拌1-3h,然后溶液被自然冷却到室温;加入一定化学剂量配比的正硅酸乙酯继续搅拌1-3h;接下来加入HNO3或HCl溶液,调整pH值为2-4;最后在60-70℃继续搅拌4-10h,直至有透明溶胶形成;B.在SiO2/Si基片上制备铒钇硅酸盐无机化合物薄膜:采用旋转涂敷法把铒钇硅氧溶胶涂敷在SiO2/Si基体上;分别在100-140℃空气中干燥,500-600℃Ar气中预退火获得铒钇硅氧非晶薄膜;最后在1100-1200℃高温退火获得结晶的铒钇硅酸盐化合物薄膜;C.刻蚀铒钇硅酸盐无机化合物光波导:旋涂光刻胶于基片上,旋涂1-3分钟后烘烤2-5分钟,得到均匀的3-7μm光刻胶;在电子束曝光机直写系统下,选择合适的曝光时间和曝光剂量,利用电子束照射需要曝光的图形,将曝光后的基片显影、定影、清洗;然后将基片放在反应离子刻蚀机中,选用反应气体刻蚀铒钇硅酸盐化合物薄膜,去掉剩余的光刻胶;用旋涂法在刻蚀后的样品上涂敷500-2000nm的SiO2薄膜,最后采用聚焦离子束刻蚀机修饰波导的侧面;之后,对所述修饰后的光波导性能进行检测,泵浦源采用两种输出波长的半导体激光器,信号源采用半导体发光二极管;泵浦光和信号光经由波分复用器合路后由一根单模光纤输出。
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