[发明专利]多晶硅碳头料的硅碳分离方法无效

专利信息
申请号: 200910233065.X 申请日: 2009-10-19
公开(公告)号: CN101691222A 公开(公告)日: 2010-04-07
发明(设计)人: 隋聚勇 申请(专利权)人: 隋聚勇
主分类号: C01B33/021 分类号: C01B33/021;C01B33/037
代理公司: 南京众联专利代理有限公司 32206 代理人: 郭俊玲
地址: 264002 山东省*** 国省代码: 山东;37
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摘要: 发明涉及一种多晶硅碳头料的硅碳分离方法,包括硅碳分离、清洗和表面处理步骤,硅碳分离步骤为按分离液与多晶硅碳头料重量比为100∶(50-200)比例将碳头料装入网袋后放入分离液中,在密闭或通风条件下进行混合并充分浸泡0.5-8小时;表面处理步骤为将经清洗步骤水洗后去除石墨的多晶硅放入质量浓度5-10%的液碱溶液中浸泡5-10分钟,之后用质量浓度5-20%的分析纯盐酸溶液中清洗1-5分钟,再用去离子水冲洗至表面pH在5.0-7.0,即可完全实现多晶硅和石墨的分离。本发明的工艺过程安全,硅碳分离效率可控。
搜索关键词: 多晶 硅碳头料 分离 方法
【主权项】:
多晶硅碳头料的硅碳分离方法,包括硅碳分离、清洗和表面处理步骤,其特征是:所述硅碳分离步骤为按分离液与多晶硅碳头料重量比为100∶(50-200)比例将碳头料装入网袋后放入分离液中,在密闭或通风条件下进行混合并充分浸泡0.5-8小时;所述表面处理步骤为将经清洗步骤水洗后去除石墨的多晶硅放入质量浓度5-10%的液碱溶液中浸泡5-10分钟,之后用质量浓度5-20%的分析纯盐酸溶液中清洗1-5分钟,再用去离子水冲洗至表面PH在5.0-7.0,即可完全实现多晶硅和石墨的分离。
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