[发明专利]发光二极管的制造方法

摘要

一种发光二极管的制造方法，在外延结构中引入可粗化外延层，湿法蚀刻可粗化外延层而不是n型铝镓铟磷基限制层，利用介于可粗化外延层和n型铝镓铟磷基限制层之间的n型接触外延层作为化学蚀刻停止层，即可避免纵向过蚀刻对包括n型铝镓铟磷基限制层和有源层在内的发光层的损伤；粗化外延层形成后，蚀刻部分区域的粗化外延层，并于其中制作n扩展电极，使n扩展电极与n型接触外延层形成欧姆接触，如此，n型欧姆接触的形成是在化学蚀刻粗化工艺之后，就不会被蚀刻而出现剥落问题，解决了发光二极管制作工艺中的化学蚀刻粗化工艺窗口和粗化效果间的矛盾，提高了化学蚀刻粗化的工艺窗口，并有效防止横向钻蚀和纵向过蚀刻所引发的工艺异常问题。

主权项

发光二极管的制造方法，包括步骤：1)提供一临时衬底，在其上依次外延生长缓冲层、可粗化外延层、n型接触外延层、n型铝镓铟磷基限制层、有源层、p型铝镓铟磷基限制层、p型导电窗口层构成一外延片；并且，可粗化外延层材料为铝镓铟磷或者铝铟磷，n型接触外延层材料为砷化镓，有源层材料为铝镓铟磷；2)提供一永久衬底，将其与上述外延片的外延层表面进行粘合；3)去除临时衬底和缓冲层，暴露出可粗化外延层；4)采用湿法蚀刻方式对可粗化外延层进行化学处理以形成粗化外延层；5)蚀刻部分区域的粗化外延层并暴露出其下的n型接触外延层；6)在上述暴露的n型接触外延层之上制作n扩展电极；7)在粗化外延层上制作n焊盘并使其与n扩展电极形成电学接触。