[发明专利]在平板玻璃上沉积多晶β-Ga2O3薄膜的方法无效
| 申请号： | 200910229435.2 | 申请日： | 2009-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN101746961A | 公开（公告）日： | 2010-06-23 |
| 发明（设计）人： | 闫金良;赵银女;刘建军;石亮 | 申请（专利权）人： | 鲁东大学 |
| 主分类号： | C03C17/245 | 分类号： | C03C17/245 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 264025 山东*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种在平板玻璃上沉积多晶β-Ga2O3薄膜的方法，属于电子材料技术领域。本发明以Ga2O3粉末经压片、烧结获得的块体材料为靶材，在温度为室温的玻璃衬底上利用射频磁控溅射技术制备Ga2O3薄膜。工艺条件为：溅射气体氩气压强0.2～2Pa、溅射偏压-40～-100V、溅射功率40～150W。将Ga2O3薄膜置于退火炉中，400～550℃空气气氛下处理50～80分钟，即形成具有多晶结构的β-Ga2O3薄膜。本发明方法设备简单便宜、成本低、易于大面积成膜。 | ||
| 搜索关键词： | 平板玻璃 沉积 多晶 ga sub 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
在平板玻璃上沉积多晶β-Ga2O3薄膜的方法，步骤如下：(1)将纯度为99.99WT％的Ga2O3粉末在55～65MPa的压强下压制成Φ60mm-4mm的胚体，送入高温烧结炉，在空气中1300～1400℃下烧结720～900分钟，烧制成Ga2O3靶材。(2)将步骤(1)的靶材和清洗过的基片送入射频磁控溅射仪，溅射制备Ga2O3薄膜。溅射室基础真空6×10-4Pa，溅射气体为氩气，溅射气体氩气压强0.2～2Pa，溅射偏压-40～-100V，溅射功率40～150W，溅射时间20～90分钟，膜厚100～440nm。(3)将步骤(2)中沉积的Ga2O3薄膜移入退火炉中在空气中进行退火处理，退火温度为400～550℃，退火时间为50～80分钟，即形成具有多晶结构的β-Ga2O3薄膜。
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