[发明专利]微流控芯片表面处理结合热压的封装方法无效

专利信息
申请号: 200910229153.2 申请日: 2009-12-11
公开(公告)号: CN102092669A 公开(公告)日: 2011-06-15
发明(设计)人: 牟诗城;屈怀泊;高玉翔;高鹏;吴磊 申请(专利权)人: 国家纳米技术与工程研究院
主分类号: B81C1/00 分类号: B81C1/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 300457 天津*** 国省代码: 天津;12
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摘要: 一种微流控芯片表面处理结合热压的封装方法,其特征在于它由以下步骤构成:(1)制备微流控图形芯片基片;(2)对封装材料的封装表面即盖片和基片表面进行处理;(3)采用热压的方法完成芯片封装。本发明的优越性:本发明适用于各种加工工艺制造的芯片和各种材料组合,在防止微通道变形和堵塞的同时,提高生产的效率和成品率。
搜索关键词: 微流控 芯片 表面 处理 结合 热压 封装 方法
【主权项】:
一种微流控芯片表面处理结合热压的封装方法,其特征在于它由以下步骤构成:(1)制备微流控图形芯片基片;(2)对封装材料的封装表面即盖片和基片表面进行处理;(3)采用热压的方法完成芯片封装。
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