[发明专利]一种在玻璃基底上制备取向生长多晶氧化锌薄膜的方法

摘要

一种在玻璃基底上制备取向生长多晶氧化锌薄膜的方法，步骤如下：1)在磁控溅射镀膜机的靶头上安装一对ZnO陶瓷靶；2)将清洁基底安装基底架上；3)开启磁控溅射镀膜机；4)向真空室通入O2和Ar的混合气；5)在ZnO陶瓷靶上施加电流和电压进行预溅射；6)转动基片架，在基片上生长ZnO薄膜；7)溅射结束后继续抽真空半小时并充入氮气，取出成品即可。本发明的优点是：制备工艺简单，不需要基底加热，不需要特殊的基底材料；ZnO薄膜平均表面粗糙度低且薄膜的电阻率高；与常用制备方法相比，在工业化生产上具有明显成本和技术优势，在各种光、电、声学器件的制备上具有广泛的应用价值。

主权项

一种在玻璃基底上制备取向生长多晶氧化锌薄膜的方法，采用磁控溅射镀膜法制备，其特征在于步骤如下：1)在磁控溅射镀膜机的靶头上安装一对ZnO陶瓷靶；2)将基底材料表面杂质清除后，将基底安装基底架上，基片与靶的距离为10cm；基片在上方，靶在下方；3)开启磁控溅射镀膜机，先后启动一级机械泵和二级分子泵抽真空，直至溅射室的背底真空度优于8×10-6Pa；4)向真空室通入O2和Ar的混合气体，使得真空室中的真空度为1Pa；5)开启溅射电源在ZnO陶瓷靶上进行预溅射；6)打开基片的挡板，同时使基片架转动，每分钟2转；此时在基片上生长ZnO薄膜；7)溅射结束后，关闭基片的挡板、基片架转动系统，然后关闭溅射电源，停止通入溅射气体Ar和O2，继续抽真空，半小时后关闭真空系统，向真空室充入纯度为99.999％的氮气，打开真空室，取出成品即可。