[发明专利]半导体装置制造方法和半导体装置

摘要

本发明涉及半导体装置制造方法和半导体装置。提供一种半导体装置的制造方法，包括：在与电极焊盘的位置对应的点处形成贯穿半导体基板的通孔；在包括通孔的内部的半导体基板的后表面上形成绝缘膜；至少在通孔的开口部分中的绝缘膜表面上由金属或无机绝缘体形成粘接稳固层；在粘接稳固层上形成用作底部蚀刻中的掩模的抗蚀剂层；执行底部蚀刻以露出电极焊盘；去除抗蚀剂层以获得没有否则会由底部蚀刻产生的表面不规则性的绝缘膜；通过低温处理形成阻挡层、籽层和导电层；和执行构图。

主权项

一种具有在半导体基板的前表面上形成的电极焊盘和半导体器件的半导体装置的制造方法，该制造方法包括：形成贯穿半导体基板的通孔并由此在通孔的底部露出电极焊盘，该通孔在与半导体基板的前表面相反的半导体基板的后表面上、在与在半导体基板的前表面上形成的电极焊盘的位置对应的点上具有开口部分；在通孔的底部上和通孔的内壁上形成绝缘膜；至少在通孔的开口部分中的绝缘膜表面上形成粘接稳固层；在粘接稳固层的表面上形成抗蚀剂层；以所述抗蚀剂层作为掩模蚀刻通孔的底部的绝缘膜，以由此在通孔的底部露出电极焊盘；去除抗蚀剂层以露出粘接稳固层；和在通孔的底部上以及通孔的内壁上形成导电层，并使所述导电层与所述电极焊盘接触。