[发明专利]非易失性半导体存储装置

摘要

本发明的目的是提供一种能够抑制通过栅电极间绝缘膜的泄漏电流，提高电可靠性的非易失性半导体存储装置。具备：在半导体基板上形成为行列状的多个存储器单元；选择性地连接于同一列方向的多个存储器单元的多个位线；连接于同一行方向的多个存储器单元的多个字线；各存储器单元具备：依次形成于半导体基板上的第1栅绝缘膜，电荷存储层，第2栅绝缘膜，控制电极，和沿着与电荷存储层相对的侧面，在所述硅基板上面形成的1对杂质注入层，其中，在沿着与位线垂直的剖面，在设电荷存储层的上部角部或者表面凸部的曲率半径为r、第2栅绝缘膜的氧化硅膜换算厚度为d时，r/d大于等于0.5。

主权项

一种非易失性半导体存储装置，其特征在于，具备：半导体基板；在所述半导体基板上形成为行列状的多个存储器单元；选择性地连接于同一列方向的所述多个存储器单元的多个位线；以及连接于同一行方向的所述多个存储器单元的多个字线；其中，所述多个存储器单元的每一个，具备：形成于所述半导体基板上的第1栅绝缘膜；形成于所述第1栅绝缘膜上的电荷存储层；形成于所述电荷存储层上的第2栅绝缘膜；以及形成于所述第2栅绝缘膜上的控制电极；其中，在沿着与所述位线垂直的方向的剖面，在设所述电荷存储层的上部角部或者表面凸部的曲率半径为r、所述第2栅绝缘膜的氧化膜换算厚度为d时，r/d大于等于0.5。