[发明专利]半导体激光器及其制造方法

摘要

一种半导体激光器及其制造方法，在较大光输出范围及较大温度范围内可保持稳定的自激振荡。半导体激光器(100)具有：下部覆盖层(103)，形成在半导体基板(101)上；活性层(105)，形成在下部覆盖层上；第1上部覆盖层(107)，形成在活性层上；第2上部覆盖层(109)，形成在第1上部覆盖层上，具有台面构造；高次模式滤波层(111)，在第2上部覆盖层的两个侧面上及从第2上部覆盖层的两个侧面开始在第2上部覆盖层的两侧区域的至少一部分上连续延伸，具有活性层的带隙以下的带隙；以及阻挡层(BLK)，在包括高次模式滤波层的上方在内的第2上部覆盖层的两侧的区域上，含有带隙大于活性层的带隙的层(112)。

主权项

一种半导体激光器，其特征在于，具有：半导体基板；下部覆盖层，形成在上述半导体基板上；活性层，形成在上述下部覆盖层上；第1上部覆盖层，形成在上述活性层上；第2上部覆盖层，形成在上述第1上部覆盖层上，具有台面构造；高次模式滤波层，在上述第2上部覆盖层的两个侧面上及从上述第2上部覆盖层的两个侧面开始在上述第2上部覆盖层的两侧区域的至少一部分上连续延伸，具有上述活性层的带隙以下的带隙；以及阻挡层，在包括上述高次模式滤波层的上方在内的上述第2上部覆盖层的两侧的区域上含有带隙大于上述活性层的带隙的层。