[发明专利]多结太阳电池的制造方法

摘要

本发明公开了一种多结太阳电池的制造方法，太阳电池结构为Si/GaAs/InGaP三层结构，底层电池为Si的PN结电池、中间电池为GaAs的PN结电池、顶层电池为InGaP的PN结电池，各子电池直接生长在硅电池衬底上，该方法具有以下工艺步骤：在磁场下采用化学腐蚀的方法在单晶硅片表面生长致密均匀的绒面，再在高温扩散炉中扩散形成PN结形成底层电池；在制备好PN结的硅片N型面上生长GaAs隧道结；在隧道结上生长GaAs电池；在GaAs电池的N型面上生长GaAs隧道结；在隧道结上生长InGaP电池；在InGaP电池上生长减反射膜；使用丝网印刷形成欧姆接触；获得多结太阳电池。

主权项

一种多结太阳电池的制造方法，所述太阳电池结构为Si/GaAs/InGaP三层结构，底层电池为Si的PN结电池、中间电池为GaAs的PN结电池、顶层电池为InGaP的PN结电池，各子电池直接生长在硅电池衬底上，其特征在于：该方法具有以下工艺步骤a、在磁场下采用化学腐蚀的方法在单晶硅片表面生长致密均匀的绒面，再在高温扩散炉中扩散形成PN结形成底层电池，刻蚀后再清洗去掉硅片表面的磷硅玻璃；b、在制备好PN结的硅片N型面上使用MBE生长GaAs隧道结；c、在步骤b中所述GaAs隧道结上使用MBE生长GaAs电池；d、在GaAs电池的N型面上使用MBE生长GaAs隧道结；e、在步骤d中所述GaAs隧道结上使用MBE生长InGaP电池；f、在InGaP电池上使用PECVD生长减反射膜；g、使用丝网印刷机在三层电池的硅片P型面制备形成电池的背电极和背电场，经过印刷的背电极和背电场构成底层电极经烧结后形成欧姆接触；h、使用磁控溅射仪在电池的顶层制备顶层电极，在三层电池的减反射膜面溅射金属电极形成欧姆接触；i、获得多结太阳电池。