[发明专利]基于漂洗方法的单壁碳纳米管预处理方法无效
申请号: | 200910219976.7 | 申请日: | 2009-11-18 |
公开(公告)号: | CN102060282A | 公开(公告)日: | 2011-05-18 |
发明(设计)人: | 董再励;许可;田孝军;于海波 | 申请(专利权)人: | 中国科学院沈阳自动化研究所 |
主分类号: | C01B31/02 | 分类号: | C01B31/02;B82B3/00 |
代理公司: | 沈阳科苑专利商标代理有限公司 21002 | 代理人: | 许宗富;周秀梅 |
地址: | 110016 辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | 本发明涉及纳米操作领域,具体地说是一种基于漂洗方法的单壁碳纳米管预处理方法。将阴离子表面活性剂溶液与单壁碳纳米管混合,使阴离子表面活性剂的亲油基吸附在单壁碳纳米管侧壁,而后将经阴离子表面活性剂处理后的单壁碳纳米管经超声振荡和脉冲后,使其定向排列实现单壁碳纳米管有效分散,即完成预处理。本发明提出的方法,对碳纳米管所具有的物理、化学性质不会产生任何破坏,可操作性与可重复性强,为单壁碳纳米管预处理提供了新的可行技术途径。 | ||
搜索关键词: | 基于 漂洗 方法 单壁碳 纳米 预处理 | ||
【主权项】:
一种基于漂洗方法的单壁碳纳米管预处理方法,其特征在于:将阴离子表面活性剂溶液与单壁碳纳米管混合,使阴离子表面活性剂的亲油基吸附在单壁碳纳米管侧壁,而后将经阴离子表面活性剂处理后的单壁碳纳米管经超声振荡和脉冲后,使其定向排列实现单壁碳纳米管有效分散,即完成预处理。
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