[发明专利]一种硅微加速度传感器芯片无效
| 申请号： | 200910219464.0 | 申请日： | 2009-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN101738494A | 公开（公告）日： | 2010-06-16 |
| 发明（设计）人： | 赵玉龙;刘岩;田边;张玲;蒋庄德 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | G01P15/12 | 分类号： | G01P15/12 |
| 代理公司： | 西安智大知识产权代理事务所 61215 | 代理人： | 贺建斌 |
| 地址： | 710049 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 一种硅微加速度传感器芯片，包括中央硅质量块，中央硅质量块位于外围支撑硅基的中间，在外围支撑硅基的正面和中央硅质量块相邻的一边的两端配置有两个硅膜，两个硅膜的一面与外围支撑硅基和中央硅质量块相连，另一面与硅悬臂梁连接，硅悬臂梁上的中间配置有四个压阻条，构成惠斯通电桥，当加速度作用于传感器芯片时，将有惯性力作用于中央质量块，进而使得梁膜结构发生变形，压阻条在硅悬臂梁的应力作用下其阻值发生变化，惠斯通电桥失去平衡，输出一个与外界加速度相对应的电信号，从而实现传感器芯片对加速度的测量，本发明具有体积小，重量小，高频响和高灵敏度的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 加速度 传感器 芯片 | ||
【主权项】：
一种硅微加速度传感器芯片，包括外围支撑硅基(4)，在外围支撑硅基(4)的背面配置有玻璃衬底(5)，外围支撑硅基(4)的背面与玻璃衬底(5)进行键合连接，其特征在于，中央硅质量块(1)位于外围支撑硅基(4)的中间，在外围支撑硅基(4)的正面和中央硅质量块(1)相邻的一边的两端配置有两个硅膜(3)，两个硅膜(3)的一面与外围支撑硅基(4)和中央硅质量块(1)相连，另一面与硅悬臂梁(2)连接，硅悬臂梁(2)上的中间配置有四个压阻条(6)，四个压阻条(6)构成惠斯通电桥。
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