[发明专利]一种高压压敏电阻及其制备方法无效

专利信息
申请号: 200910219289.5 申请日: 2009-12-03
公开(公告)号: CN101702358A 公开(公告)日: 2010-05-05
发明(设计)人: 朱建锋;杨海波;王芬;徐春英;蒲亚娥;吴杨;齐国权 申请(专利权)人: 陕西科技大学
主分类号: H01C7/112 分类号: H01C7/112;H01C17/30;C04B35/453;C04B35/622
代理公司: 西安智大知识产权代理事务所 61215 代理人: 弋才富
地址: 710021 陕西省*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 一种高压压敏电阻及其制备方法,将占原料总重量的75-94%ZnO、占1-6%Bi2O3、占2-7%Sb2O3、占0.5-2%MnCO3、占0.5-2%Co2O3、占0.5-2%Cr2O3、占0.5-2%Ni2O3、占0.5-2%SiO2、占0.1-10%R2O3,其中R2O3为Pr6O11,Dy2O3,Y2O3中的一种或几种,比例任意,在高能球磨作用下球磨,再经过喷雾、造粒、成型、烧结最后制得高压压敏电阻,具有制备工艺简单、成本低,易于规模化生产的特点,且制备的材料具有高电压梯度、高非线性以及低漏电流优良的综合性能。
搜索关键词: 一种 高压 压敏电阻 及其 制备 方法
【主权项】:
一种高压压敏电阻,其特征在于,其原料组成重量百分比为:ZnO占原料总重量的75-94%、Bi2O3占1-6%、Sb2O3占2-7%、MnCO3占0.5-2%、Co2O3占0.5-2%、Cr2O3占0.5-2%、Ni2O3占0.5-2%、SiO2占0.5-2%、R2O3占0.1-10%,其中R2O3为Pr6O11、Dy2O3和Y2O3中的一种或几种,比例任意。
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