[发明专利]石墨烯/碳纳米管复合薄膜的原位制备方法有效
| 申请号: | 200910218482.7 | 申请日: | 2009-10-22 |
| 公开(公告)号: | CN101696491A | 公开(公告)日: | 2010-04-21 |
| 发明(设计)人: | 朱宏伟;李春艳;李虓;李昕明;韦进全;王昆林;吴德海 | 申请(专利权)人: | 清华大学 |
| 主分类号: | C23C16/26 | 分类号: | C23C16/26;C01B31/02 |
| 代理公司: | 西安智大知识产权代理事务所 61215 | 代理人: | 贾玉健 |
| 地址: | 100084 北京市10*** | 国省代码: | 北京;11 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 石墨烯/碳纳米管复合薄膜的原位制备方法,包括以下步骤:1、称取二茂铁和硫,均匀混合置于反应器前端,将多晶镍片置于反应器中心位置,密封反应器;2、向反应器通入氢气/氩气混合气体,同时将反应器中心升温至,调节氢气/氩气的流量;3、加热反应器前端的二茂铁和硫使其挥发,挥发气体由步骤二中调节后的氢气/氩气混合气体载入反应器中反应;4、反应器中心停止加热,关闭氢气,调节氩气流量,将镍片从反应器中心位置拉出并冷却至室温,在镍片上即可得到石墨烯/碳纳米管复合薄膜,本发明实现了石墨烯/碳纳米管复合薄膜的批量生产,具有大面积、厚度可控、高导电性、连续无间断的特点。 | ||
| 搜索关键词: | 石墨 纳米 复合 薄膜 原位 制备 方法 | ||
【主权项】:
石墨烯/碳纳米管复合薄膜的原位制备方法,其特征在于,包括以下步骤:1、称取质量比为58~116∶1的二茂铁和硫,均匀混合,置于反应器前端,将纯度为99.5%,厚度为0.1mm,面积为1×1cm2~10×10cm2的多晶镍片,置于反应器中心位置,密封反应器;2、向反应器通入流量为100~200/200~400mL/min的氢气/氩气混合气体,同时将反应器中心升温至1100~1150℃,调节氢气/氩气的流量至100~400/800~2000mL/min;3、加热反应器前端的二茂铁和硫至80~110℃使其挥发,挥发气体由步骤二中调节后的氢气/氩气混合气体载入反应器中,反应5~15分钟后停止加热二茂铁和硫;4、反应器中心停止加热,关闭氢气,调节氩气流量至100~200mL/min,将镍片从反应器中心位置拉出,以5~20℃/s的冷却速度冷却至室温,在镍片上即可得到石墨烯/碳纳米管复合薄膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于清华大学,未经清华大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200910218482.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种铸锭用坩埚的处理方法
- 下一篇:绕线电感线圈部件及其制作方法
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的





