[发明专利]硅钨酸/二氧化硅聚乙烯醇质子交换膜的制备方法无效

专利信息
申请号: 200910216866.5 申请日: 2009-12-25
公开(公告)号: CN101787140A 公开(公告)日: 2010-07-28
发明(设计)人: 郭贵宝;安胜利;韩二丁 申请(专利权)人: 内蒙古科技大学
主分类号: C08J5/22 分类号: C08J5/22;C08L29/04;C08K3/36;C08K3/34;H01M8/02;H01M2/16
代理公司: 包头市专利事务所 15101 代理人: 庄英菊
地址: 内蒙古自治区*** 国省代码: 内蒙古;15
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摘要: 发明涉及一种硅钨酸/二氧化硅聚乙烯醇质子交换膜的制备方法,属于电池电解质材料领域。本发明首先将聚乙烯醇溶于去离子水中制成高分子溶液,加入硅化合物和钨酸钠,将其加热,搅拌,形成溶液,将该溶液浇注在聚四氟乙烯玻璃板上并烘干成膜,即得到所需的硅钨酸/二氧化硅聚乙烯醇质子交换膜。本发明制备的质子交换膜,不但具有很好的质子导电性,低的甲醇渗透性,而目便于进行大规模生产。
搜索关键词: 硅钨酸 二氧化硅 聚乙烯醇 质子 交换 制备 方法
【主权项】:
硅钨酸/二氧化硅聚乙烯醇质子交换膜的制备方法,其特征在于,本发明原料包括:聚乙烯醇PVA、钨酸钠、四氯化硅;制备方法如下:(1)按重量百分比将75wt%~67wt%聚乙烯醇溶于水中制成溶液A,其中每克聚乙烯醇PVA需水9~19g;(2)将溶液A加热至80-95℃,并在该温度下搅拌1至3小时制成溶液B;(3)将溶液B温度降至50-65℃,向溶液B中加入15wt%~20wt%的四氯化硅和10wt%~13wt%钨酸钠,在50-60℃的温度下搅拌1至3小时后降温至室温,形成均匀的溶液C;(4)将溶液C浇注在聚四氟乙烯玻璃板上并烘干成膜,膜厚度控制在0.1~0.2毫米,烘干温度:50-60℃,即得到所需的硅钨酸/二氧化硅聚乙烯醇质子交换膜。
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