[发明专利]等离子显示驱动芯片用高低压器件及制备方法

摘要

本发明提供一种等离子显示驱动芯片用高低压器件及制备方法，所述器件由高压N型横向绝缘栅双极型晶体管、高压P型横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管、高压N型横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管、高压二极管和低压器件构成；所述制备方法为：在P型衬底上制作埋氧层，淀积P型外延层，制作高压器件的高压N阱和高压P阱，高压N型横向绝缘栅双极型晶体管和高压N型横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管的P型体区，各低压阱。本发明所述芯片结构具有芯片功耗低，芯片面积小，可靠性高的优点，而且能够兼容标准低压互补型金属氧化物半导体场效应晶体管的制造工艺。

主权项

一种等离子显示驱动芯片用高低压器件，它由如下部分组成：P型衬底(10)，在所述P型衬底(10)上设有埋氧层(8)，在所述埋氧层(8)上设有高压N型横向绝缘栅双极型晶体管(1)、高压P型横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(2)、高压N型横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(3)、高压二极管(4)和低压器件(5)，其特征在于，所述高压N型横向绝缘栅双极型晶体管(1)与所述高压P型横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(2)相邻且高压N型横向绝缘栅双极型晶体管(1)的漏端与所述高压P型横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(2)的源端相邻，所述高压P型横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(2)与所述高压N型横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(3)相邻且所述高压P型横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(2)的漏端与所述高压N型横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(3)的源端相邻，所述高压二极管(4)位于所述高压N型横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(3)与所述低压器件(5)之间，在所述高压N型横向绝缘栅双极型晶体管(1)一侧设有第一双槽结构，在所述高压N型横向绝缘栅双极型晶体管(1)另一侧与所述高压P型横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(2)之间设有第二双槽结构，在所述高压P型横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(2)与所述高压N型横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(3)之间设有第三双槽结构，在所述高压N型横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(3)与所述高压二极管(4)之间设有第四双槽结构，在所述高压二极管(4)与所述低压器件(5)之间设有第五双槽结构，在所述低压器件(5)另一侧没有槽结构隔离，所述第一双槽结构由平行设置的第一氧化隔离层(91A)和第二氧化隔离层(91B)组成，所述第二双槽结构由平行设置的第一氧化隔离层(92A)和第二氧化隔离层(92B)组成，所述第三双槽结构由平行设置的第一氧化隔离层(93A)和第二氧化隔离层(93B)组成，所述第四双槽结构由平行设置的第一氧化隔离层(94A)和第二氧化隔离层(94B)组成，所述第五双槽结构由平行设置的第一氧化隔离层(95A)和第二氧化隔离层(95B)组成。