[发明专利]形成半导体器件的金属布线的方法无效
| 申请号： | 200910211837.X | 申请日： | 2009-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN101740487A | 公开（公告）日： | 2010-06-16 |
| 发明（设计）人： | 金相喆 | 申请（专利权）人： | 东部高科股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 郑小军;陈昌柏 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种形成半导体器件的金属布线的方法及其器件。形成金属布线的方法及其器件，可通过充分地去除在沟槽上和/或上方的氧化物，和/或通过充分地去除可能存留在晶片表面上和/或上方的副产物，使半导体产量最大化。形成半导体的金属布线的方法可包括在金属布线上和/或上方形成介电层。形成半导体的金属布线的方法可包括在介电层上和/或上方形成接触孔，所述接触孔可暴露金属布线的部分表面。形成半导体的金属布线的方法可包括在接触孔的内侧上和/或上方执行氧化物去除工艺，和/或在沟槽的内侧壁上和/或上方执行副产物去除工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 半导体器件 金属 布线 方法 | ||
【主权项】：
一种方法，包括如下步骤：在金属布线上形成介电层；形成暴露所述金属布线的至少部分表面的接触孔；以及在所述接触孔的内侧上执行氧化物去除工艺。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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