[发明专利]基片处理装置及为此使用的覆盖元件有效
| 申请号： | 200910207462.X | 申请日： | 2009-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN102054659A | 公开（公告）日： | 2011-05-11 |
| 发明（设计）人： | 金炳埈 | 申请（专利权）人： | 金炳埈 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 张晶 |
| 地址： | 韩国忠*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 公开了一种能够实现例如基片蚀刻的基片处理的基片处理装置及为此使用的覆盖元件。该基片处理装置包括：形成处理空间的处理腔；基片支承板，其具有下电极、且被配置为在其上直接或通过托盘装配一个或更多个基片；以及覆盖元件，其具有贯穿上、下方向的多个开口，且被配置为与该基片具有间隔地覆盖该基片，其中，该覆盖元件在其底面与该基片之间形成覆盖空间，且该覆盖元件侧面的一个或更多个部分为开放的，以使得通过该开口引入到该覆盖元件的气体以及在基片处理期间产生的副产品流向该基片支承板的侧表面。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 装置 为此 使用 覆盖 元件 | ||
【主权项】：
一种基片处理装置，包括：形成处理空间的处理腔；具有下电极的基片支承板，所述基片支承板直接或通过托盘装配有一个或更多个基片；以及覆盖元件，其具有贯穿上、下方向形成的多个开口，且与所述基片具有间隔地覆盖所述基片，其中，所述覆盖元件在其底面与所述基片之间形成覆盖空间，且所述覆盖元件侧表面的一个或更多个部分为开放的，以使得通过所述开口引入到所述覆盖元件的气体以及在基片处理期间产生的副产品流向所述基片支承板的侧表面。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于金炳埈，未经金炳埈许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200910207462.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
