[发明专利]移除光致抗蚀剂的方法无效
| 申请号： | 200910207008.4 | 申请日： | 2009-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN102043355A | 公开（公告）日： | 2011-05-04 |
| 发明（设计）人： | 简金城;杨建伦;叶秋显;许哲华;李志成;徐韶华;陈正国;陈信琦;王志坚 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/42 | 分类号： | G03F7/42 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 邱军 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明揭示一种移除光致抗蚀剂的方法。首先，提供基材，其包含图案化光致抗蚀剂。其次，对基材进行离子注入步骤。然后，对基材进行非氧化性前处理，其中非氧化性前处理提供包含氢气、载气与等离子体的处理条件。继续，对基材进行光致抗蚀剂剥除步骤，以完全移除光致抗蚀剂。本发明既能够顺利移除光致抗蚀剂材料层，又能够同时兼顾到基材上多晶硅线路的完整性。 | ||
| 搜索关键词： | 光致抗蚀剂 方法 | ||
【主权项】：
一种移除光致抗蚀剂的方法，包含：提供基材，其包含图案化光致抗蚀剂；对该基材进行离子注入步骤；对该基材进行非氧化性前处理，其中该非氧化性前处理提供包含氢气、载气与等离子体的处理条件；以及对该基材进行光致抗蚀剂剥除步骤，以完全移除该图案化光致抗蚀剂。
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