[发明专利]用于抛光具有应变松弛Si1-xGex层的半导体晶片的方法有效
| 申请号： | 200910206303.8 | 申请日： | 2009-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN101733699A | 公开（公告）日： | 2010-06-16 |
| 发明（设计）人： | J·施万德纳;R·科普特 | 申请（专利权）人： | 硅电子股份公司 |
| 主分类号： | B24B29/02 | 分类号： | B24B29/02;H01L21/02;H01L21/302 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 程大军 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及用于抛光具有Si1-xGex应变松弛层的半导体晶片的方法，该方法包括使用含有粒径为0.55μm或更小的固定粘结的研磨剂材料的抛光垫在抛光机中对半导体晶片的Si1-XGex层进行机械加工的第一步骤，以及使用抛光垫并且提供含有研磨剂材料的抛光剂浆料对该半导体晶片前面已经机械加工的Si1-XGex层进行化学机械加工的第二步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 抛光 具有 应变 松弛 si sub ge 半导体 晶片 方法 | ||
【主权项】：
用于抛光具有Si1-xGex应变松弛层的半导体晶片的方法，其包括使用含有粒径为0.55μm或更小的固定粘结的研磨剂材料的抛光垫在抛光机中对半导体晶片的Si1-XGex层进行机械加工的第一步骤，以及使用抛光垫及提供含有研磨剂材料的抛光剂浆料对该半导体晶片前面已经机械加工过的Si1-xGex层进行化学机械加工的第二步骤。
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