[发明专利]一种实现高光谱选择性光电探测器的方法

摘要

本发明属于半导体光电技术领域，涉及一种实现高光谱选择性光电探测器的方法，得到可对某一很窄范围内的光谱有响应的光电探测器。本发明采用两种或多种禁带宽度不同的半导体材料，利用禁带宽度较大的材料作为探测器的窗口层，该窗口层相当于一个滤波器，从而实现只对某一较窄光谱范围内的光有响应的探测器件。该方法适用的材料体系包括但不限于ZnO/GaN，GaN/p-ZnO/n-ZnO，GaN/ZnMgO，AlGaN/ZnO，AlGaN/ZnMgO，AlGaN/GaN，AlGaAs/GaAs，GaN/InGaN，ZnO/InGaN，ZnMgO/p-ZnO/n-ZnO，ZnMgO/p-AlGaN/n-AlGaN等等。本发明的有益效果是：该方法非常简单、便宜，并且几乎不额外增加探测器的体积。

主权项

一种实现高光谱选择性光电探测器的方法，其特征在于，该方法包括如下步骤：首先，在p-GaN/Al2O3衬底上用分子束外延设备制备非掺杂ZnO薄膜，生长的温度范围是700～850℃，生长的氧气流量控制在0.6～1.0sccm，该ZnO薄膜呈现n型导电，电子浓度为1×1017～8×1017cm-3，迁移率为15～40cm2V-1S-1；其次，在GaN上蒸镀镍金电极，并通过在空气中300～500℃条件下、退火处理3～8分钟的方法实现电极与薄膜的欧姆接触，在ZnO上蒸镀铟电极，实现欧姆接触，在光照条件下，将光电探测器反向偏置测量光生电流，即可实现对光子的探测。